Volframkarbiid pulber protsess

Volframkarbiid pulbrid saadakse otsest carburization volfram pulbrina.

Süntees lahtise volfram karbiidid poolt carburization W metallist v?i WO3with segud CH4in vesinik erinevatel surve uuriti temperatuur programmeeritud eksperimente. Saadud tahked on iseloomustatud elementanalüüsil, r?ntgendifraktsiooni, XPS analüüs ja eripind m??tmised. Carburization toimub kahel eraldi etappidena: W2C moodustub esimeses etapis toimub temperatuuril umbes 650 ° C juures atmosf??rir?hul 20% CH4-H2 segu, samas teket WC esineb ainult k?rgematel temperatuuridel. Ajal carburization m?ned vabad süsinik ladestub, mille t?htsus on suuresti s?ltuv CH4partial surve ja temperatuuri carburization. Samuti on n?idatud, et otsene carburization of WO3by CH4-H2does ei toimu, vaid et carburization toimub v?hendamise kaudu WO3to W metallist. M??r v?hendamine WO3and omaga carburization W metallist on v?ga palju s?ltub vastavalt vesiniku osar?hk ja CH4partial survet. Ulatuses v?hendamine WO3into W metallist vajalik carburization mis toimub s?ltub ka CH4partial surve, mis n?itab konkurentsi carburization W metallist pinnal ja levitamine W metallist arvesse p?hiosa tahke. 

Submikron volframkarbiid (WC) pulbrit saadakse ammooniumnitraadi volfram pronksi (ATB). Proovid iseloomustab laser osakeste suuruse analüsaatori ja skaneeriva elektronmikroskoobi (SEM). Analüüs kinnitab, et submikroonsed volfram pulber saadakse ATB oksüdeerumise l?bi protsessi gaasilise vesiniku (Rate puhtuse: 99,99%, kastepunkt: -40 ° C). Ja siis submikronilised volframi pulbrit karboneerida in vesinikgaasi. Maht protsenti sisu submikroonsed WC pulber 0 um 1 um on 83,7%. Seet?ttu ATB on kasulik valmistada submikroonsed WC pulber kaudu tavalise oksüdatsiooni ja karbonisatsioonit?rva protsesse.